功率器件可靠性是器件廠商和應用方除性能參數(shù)外關注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應用可靠性的基礎。廣電計量功率器件失效根因分析強大專家技術團隊擁有先進的失效分析設備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務。
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更新日期：2025-03-19
價格：
| 品牌 | 廣電計量 | 加工定制 | 是 |
|---|---|---|---|
| 服務區(qū)域 | 全國 | 服務周期 | 常規(guī)3-5天 |
| 服務類型 | 元器件篩選及失效分析 | 服務資質(zhì) | CMA/CNAS認可 |
| 證書報告 | 中英文電子/紙質(zhì)報告 | 增值服務 | 可加急檢測 |
| 是否可定制 | 是 | 是否有發(fā)票 | 是 |
功率器件失效根因分析強大專家技術團隊服務范圍
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分?器件，以及上述元件構成的功率模塊
檢測標準
l GJB548B-2005微電?器件試驗?法和程序
l GJB8897-2017軍?電?元器件失效分析要求與?法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測項目
試驗類型 | 試驗項? |
?損分析 | X 射線透視、聲學掃描顯微鏡、?相顯微鏡 |
電特性/電性定位分析 | 電參數(shù)測試、IV&CV 曲線量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證 |
破壞性分析 | 開封、去層、切?、芯?級切片、推拉力測試 |
微觀顯微分析 | DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡 |
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CNAS
功率器件失效根因分析強大專家技術團隊服務背景
受益于國產(chǎn)替代趨勢，國內(nèi)功率器件廠商迎來了發(fā)展機會。在成長中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設計、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進?改進，以迅速占領市場。
我們的優(yōu)勢
廣電計量擁有專家團隊及先進的失效分析設備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務，針對產(chǎn)品的研發(fā)設計、來料檢驗、加?組裝、測試篩選、客?端使?等各個環(huán)節(jié)，為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開展設計規(guī)劃、以及分析測試服務。
地址：廣州市番禺區(qū)石碁鎮(zhèn)創(chuàng)運路8號廣電計量科技產(chǎn)業(yè)園
電話：400-602-0999
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